パッシベーション

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• 半導体装置

  回路要素の形成された半導体基板と、 前記回路要素を覆うように形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上の一部に形成された導電体パターンと、 前記導電体パターンの上層に形成されたパッシベーション膜とを有し、 前記パッシベーション...
  出願人・権利者：ローム株式会社 特許4187952号

• 撮像装置

  受光部と転送レジスタ部とを備える撮像領域と、上記撮像領域に電力を供給し、上記撮像領域との間で信号を送受する配線領域とをシリコン基体に設けた撮像装置において、 上記配線領域の上に形成され、上記配線領域を覆う第１のパッシベーション...
  出願人・権利者：ソニー株式会社 特許4427829号

• 高架型集積回路センサ構造のパッシベーション用の改良型層間誘電体

  集積回路センサの構造であって、 電子回路を備える基板と、 前記基板に隣接する相互接続構造であって、該相互接続構造を貫通する導電性の相互接続バイアを有する、相互接続構造と、 前記相互接続構造に隣接する誘電体層と、 を備え...
  特許4501123号

• 吸湿性パッシベーション構造

  有機エレクトロルミネッセンス表示装置(OELD)の少なくとも表示領域の上にある吸湿性パッシベーション構造であって、前記表示領域の上にあるパリレンよりなる第１のバッファー層と、該バッファー層の上にある吸湿性材料層と、該吸湿性材料層の...
  特許4034698号

• 有機電子素子の製造方法および製造装置

  基板に配置されている下部電極に有機導電層を形成する有機導電層形成工程と、 前記有機導電層形成工程の後に、前記基板の被処理面を下向きに保持しながら上部電極を形成する上部電極形成工程と、 前記上部電極が形成された前記基板の被...
  出願人・権利者：キヤノン株式会社 特許4393402号

• 液晶表示装置

  映像信号線と走査線に囲まれた領域に、画素電極とＴＦＴを含む画素が形成された表示領域と、前記表示領域の外側に端子部が形成された液晶表示装置であって、 前記ＴＦＴを覆って有機絶縁膜が形成され、前記画素部の有機絶縁膜は厚さ１〜４μ...
  出願人・権利者：株式会社 日立ディスプレイズ 代理人：ポレール特許業務法人 特許4485559号

• 半導体装置及びその製造方法

  集積回路の上方に形成されて表面が凹凸面になったパッシベーション膜と、前記集積回路に電気的に接続されて前記パッシベーション膜から少なくとも一部が露出する電極と、を有する半導体基板と、 前記パッシベーション膜上に配置された第１の...
  出願人・権利者：セイコーエプソン株式会社 特許4147433号

• 有機ＥＬ素子

  透明基板と、前記透明基板上に設けられた１つまたは複数種の色変換フィルタ層と、前記色変換層を覆って形成された平坦化層と、前記平坦化層上に形成されたパッシベーション膜とを備えた有機ＥＬ素子であって、前記パッシベーション膜の平坦化層に...
  出願人・権利者：富士電機株式会社 特許4748386号

• 固体撮像装置、及びその製造方法

  光電変換を行う受光部が形成された半導体基板と、 前記半導体基板上に積層されており、表面が平坦化された層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜の平坦化された表面上に前記受光部の受光面を覆うことなく積層された遮光膜と、 前記遮光膜と...
  出願人・権利者：シャープ株式会社 特許3824469号

• 半導体装置の製造方法

  半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に金属配線を形成する工程と、前記金属配線を覆うようにパッシベーション膜を形成する工程と、前記金属配線上で前記パッシベーション膜の所定の位置に複数個のバイアホールを形成する工...
  出願人・権利者：パナソニック株式会社 特許4209033号

• 太陽電池、および太陽電池の製造方法

  シリコン基板の１表面に、ｐ＋層とｎ＋層が形成された太陽電池であって、前記ｐ＋層上に、第１パッシベーション膜として形成される酸化珪素および／または酸化アルミニウムを含む少なくとも１層の膜、前記ｎ＋層上に、第２パッシベーション膜とし...
  出願人・権利者：シャープ株式会社 特許4767110号

• マイクロ波半導体集積回路の製造方法

  半導体基板に下から順に第１絶縁膜、金属膜、第２絶縁膜からなる連続ＭＩＭ膜を堆積する第１の工程と、 前記堆積した連続ＭＩＭ膜上にＭＩＭ上部電極を形成する第２の工程と、 前記連続ＭＩＭ膜をパターニングして前記ＭＩＭ上部電極、前...
  出願人・権利者：三菱電機株式会社 特許3889476号

• 太陽電池および太陽電池の製造方法

  シリコン基板の受光面上に形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に形成された反射防止膜と、を含み、前記パッシベーション膜の屈折率が前記反射防止膜の屈折率よりも高く、 前記パッシベーション膜および前記反射防止膜...
  出願人・権利者：シャープ株式会社 特許4540447号

• 半導体装置およびその実装構造

  複数のパッド電極が形成された半導体基板と、 前記半導体基板に設けられたパッシベーション膜と、 前記パッド電極上にバリアメタルを介して形成されたバンプ電極とを有する半導体装置であって、 前記パッシベーション膜に、少なくとも一部の前記パ...
  出願人・権利者：松下電器産業株式会社 特許3901681号

• 応力緩和層を有する半導体素子及びその製造方法

  内部に１つ以上の構成要素を備える基板と、 前記基板の一部上に形成された金属配線と、 前記金属配線の表面をプラズマ処理により酸化させて形成された、前記金属配線を覆う薄膜金属酸化物層をアニールすることにより形成された、１００Å...
  出願人・権利者：東部電子株式会社 特許3908158号

• 集積回路を製造する方法および集積回路

  集積回路［１００］［９００］を製造する方法［１３００］であって、 半導体素子［３００］を有する基板［１０２］を提供するステップと、 前記基板［１０２］および前記半導体素子［３００］にわたって、所定の誘電率を有する誘電層［...
  出願人・権利者：チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド 特許4703200号

• 半導体装置およびその実装方法

  電極パッドを有する半導体基板と、突起電極を有する配線基板とを具備し、前記半導体基板の電極パッドに前記配線基板の突起電極を接合して実装した半導体実装装置において、 前記半導体基板に、少なくとも前記電極パッドの表面全面が露出する...
  出願人・権利者：松下電器産業株式会社 特許3789452号

• 半導体装置および半導体装置の製造方法

  回路形成面上に、電極パッドが形成された半導体チップを備えた半導体装置において、 前記回路形成面上に積層され、前記電極パッドを露出させる第１電極パッド開口部が形成された、密着層としての第１パッシベーション膜と、 前記第１パ...
  出願人・権利者：シャープ株式会社 代理人：特許業務法人原謙三国際特許事務所 特許4354469号

• 流体スイッチ及びその製造方法

  互いに接合され、その間に複数のキャビティ(106-114)が画定された第１の基板(102)及び第２の基板(104)と、 前記キャビティのうちの少なくとも１つの近くまで延びる複数の導電性素子(116,118,120)と、 ...
  出願人・権利者：アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 特許4701136号

• 半導体装置

  （ａ）半導体チップの主面上に形成された半導体素子と、 （ｂ）前記半導体チップの主面上に形成されたヒューズと、 （ｃ）前記半導体素子よりも上層に形成された一層以上の第１配線と、 （ｄ）前記第１配線のうち、最上層の配線と...
  出願人・権利者：ルネサスエレクトロニクス株式会社 特許4547247号

• 半導体装置，電子機器および半導体装置の製造方法

  半導体チップの素子面に、電極パッド，第１パッシベーション膜およびアンダーバンプメタルがこの順で積層され、 第１パッシベーション膜の開口部を介して電極パッドとアンダーバンプメタルとが電気的に接続されているとともに、アンダーバン...
  出願人・権利者：シャープ株式会社 代理人：特許業務法人原謙三国際特許事務所 特許4722532号

• 半導体装置およびその製造方法

  強誘電体層と、強誘電体層の近傍に配置された絶縁層とを備えた半導体装置を製造する方法であって、 強誘電体層を形成した後、シランおよびアンモニアを含む成膜ガスを用いて、シリコン窒化物を含む絶縁性材料により構成された絶縁層を形成する...
  出願人・権利者：ローム株式会社 特許3871407号

• 窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタ

  窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、 障壁層上にソース電極、ゲート電極およびドレイン電極が形成され、 前記ソース電極と前記ゲート電極との間の領域と、前記ゲート電極と前記ソース電極との間の領域とにお...
  出願人・権利者：日本電信電話株式会社 特許4799965号

• 冗長モジュールを備えたＣＭＯＳイメージセンサの製造方法

  半導体基板上にパッド領域及び冗長領域が画定され、該冗長領域にはヒューズが形成され、前記パッド領域には絶縁膜により前記ヒューズと電気的に絶縁されてパッドが形成されている半導体構造に、前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜...
  出願人・権利者：クロステック・キャピタル，リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 特許4594617号

• ウエハレベルパッケージ及びその製造方法

  上面に複数のチップパッドを備えた基板と、 前記チップパッドを露出させる第１のパッシベーション層と、 前記第１のパッシベーション層を貫通し、前記チップパッドに接続されるビアと、 前記第１のパッシベーション層上に設けられ...
  出願人・権利者：サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 特許4772844号